Tempo di saturazione calcolatrice

Tempo di saturazione = -2*Capacità di carico/(Parametro del processo di transconduttanza*(Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)^2)*int(1,x,Alta tensione di uscita,Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)Tempo di saturazione - (Misurato in Secondo) - Il tempo di saturazione è il tempo necessario affinché la tensione di uscita di un MOSFET raggiunga un livello specificato (V
Capacità di carico - (Misurato in Farad) - La capacità di carico è la capacità totale collegata al terminale di uscita del transistor, inclusi i componenti esterni e la capacità parassita del MOSFET.
Parametro del processo di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita.
Alta tensione di uscita - (Misurato in Volt) - L'alta tensione di uscita è il livello di tensione massimo che il transistor può raggiungere sul terminale di uscita quando è completamente acceso (funzionamento in saturazione).
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.

(Calcolo completato in 00.020 secondi)