Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping calcolatrice

✖L'area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore è la larghezza nella direzione perpendicolare alla pagina.ⓘ Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore [A_E]			+10% -10%
✖La diffusività elettronica è la corrente di diffusione è una corrente in un semiconduttore causata dalla diffusione di portatori di carica (lacune e/o elettroni).ⓘ Diffusività elettronica [D_n]			+10% -10%
✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione portante intrinseca [n_i1]			+10% -10%
✖La larghezza della giunzione di base è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.ⓘ Larghezza della giunzione di base [W_base]			+10% -10%
✖La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.ⓘ Concentrazione drogante della base [N_B]			+10% -10%

✖La corrente di saturazione è la densità di corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.ⓘ Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping [I_sat]

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Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 6 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione è la densità di corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.
Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore - (Misurato in Metro quadrato) - L'area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore è la larghezza nella direzione perpendicolare alla pagina.
Diffusività elettronica - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La diffusività elettronica è la corrente di diffusione è una corrente in un semiconduttore causata dalla diffusione di portatori di carica (lacune e/o elettroni).
Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Larghezza della giunzione di base - (Misurato in Metro) - La larghezza della giunzione di base è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.
Concentrazione drogante della base - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore: 8 Piazza Centimetro --> 0.0008 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Diffusività elettronica: 0.8 Centimetro quadrato al secondo --> 8E-05 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione portante intrinseca: 100000 1 per metro cubo --> 100000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Larghezza della giunzione di base: 0.002 Metro --> 0.002 Metro Nessuna conversione richiesta
Concentrazione drogante della base: 19 1 per metro cubo --> 19 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Valutare ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.69840272842105E-15 Ampere -->2.69840272842105E-12 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Millampere <-- Corrente di saturazione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC

LaTeX Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)

Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)

Corrente di base 2 di BJT

LaTeX Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))

Corrente di base 1 di BJT

LaTeX Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Vedi altro >>

Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping Formula

LaTeX Partire

Qual è la corrente di saturazione nel transistor?

Il transistor sarà polarizzato in modo che venga applicata la quantità massima di corrente di base, con conseguente massima corrente di collettore con conseguente caduta di tensione minima collettore-emettitore che si traduce in uno strato di svuotamento il più piccolo possibile e la massima corrente che scorre attraverso il transistor. Pertanto il transistor è commutato in "Fully-ON". Quindi possiamo definire la "regione di saturazione" o "modalità ON" quando si utilizza un transistor bipolare come interruttore, poiché entrambe le giunzioni sono polarizzate in avanti, VB> 0,7 ve IC = Massimo. Per un transistor PNP, il potenziale dell'emettitore deve essere positivo rispetto alla base.

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