Corrente di saturazione nel transistor Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Area di giunzione della base dell'emettitore - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.
Diffusione efficace - La diffusione effettiva è un parametro relativo al processo di diffusione dei portatori ed è influenzata dalle proprietà del materiale e dalla geometria della giunzione del semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Impurità totale - (Misurato in Metro quadrato) - L'impurità totale definisce le impurità che si mescolano in un atomo per unità di area in una base o la quantità di impurità aggiunta a un semiconduttore intrinseco varia il suo livello di conduttività.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Area di giunzione della base dell'emettitore: 1.75 Piazza Centimetro --> 0.000175 Metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Diffusione efficace: 0.5 --> Nessuna conversione richiesta
Concentrazione intrinseca: 1.32 1 per centimetro cubo --> 1320000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Impurità totale: 3600000000 Piazza Centimetro --> 360000 Metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Valutare ... ...
Isat = 2.1175
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.1175 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.1175 Ampere <-- Corrente di saturazione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
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Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente di saturazione nel transistor Formula

​LaTeX ​Partire
Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
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