✖La tensione di soglia di polarizzazione zero si riferisce alla tensione di soglia di un MOSFET quando al substrato non viene applicata alcuna tensione di polarizzazione aggiuntiva, generalmente misurata tra gate e source.ⓘ Tensione di soglia di polarizzazione zero [V_T0]			+10% -10%
✖La transconduttanza di NMOS si riferisce al rapporto tra la variazione della corrente di drain in uscita e la variazione della tensione gate-source in ingresso quando la tensione drain-source è costante.ⓘ Transconduttanza di NMOS [K_n]			+10% -10%
✖La resistenza al carico è la resistenza presentata dal carico esterno collegato a un circuito, che determina la quantità di corrente assorbita e influenza la tensione del circuito e la distribuzione della potenza.ⓘ Resistenza al carico [R_L]			+10% -10%

✖La tensione di ingresso massima del carico resistivo CMOS per un carico resistivo in CMOS si riferisce al livello di tensione più alto che può essere applicato al terminale di ingresso di un dispositivo CMOS senza causare danni.ⓘ Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS [V_IL(RL)]

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Formula

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Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS

Formula

`"V"_{"IL(RL)"} = "V"_{"T0"}+(1/("K"_{"n"}*"R"_{"L"}))`

Esempio

`"1.4025V"="1.4V"+(1/("200µA/V²"*"2MΩ"))`

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Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS = Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso massima del carico resistivo CMOS per un carico resistivo in CMOS si riferisce al livello di tensione più alto che può essere applicato al terminale di ingresso di un dispositivo CMOS senza causare danni.
Tensione di soglia di polarizzazione zero - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia di polarizzazione zero si riferisce alla tensione di soglia di un MOSFET quando al substrato non viene applicata alcuna tensione di polarizzazione aggiuntiva, generalmente misurata tra gate e source.
Transconduttanza di NMOS - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - La transconduttanza di NMOS si riferisce al rapporto tra la variazione della corrente di drain in uscita e la variazione della tensione gate-source in ingresso quando la tensione drain-source è costante.
Resistenza al carico - (Misurato in Ohm) - La resistenza al carico è la resistenza presentata dal carico esterno collegato a un circuito, che determina la quantità di corrente assorbita e influenza la tensione del circuito e la distribuzione della potenza.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di soglia di polarizzazione zero: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Nessuna conversione richiesta
Transconduttanza di NMOS: 200 Microampere per Volt Quadrato --> 0.0002 Ampere per Volt Quadrato (Controlla la conversione qui)
Resistenza al carico: 2 Megahm --> 2000000 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L)) --> 1.4+(1/(0.0002*2000000))

Valutare ... ...

V_IL(RL) = 1.4025

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.4025 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.4025 Volt <-- Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 16 Invertitori CMOS Calcolatrici

Ritardo di propagazione per CMOS di transizione con uscita da bassa ad alta

Partire Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output = (Capacità di carico CMOS dell'inverter/(Transconduttanza del PMOS*(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))))*(((2*abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))/(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo)))+ln((4*(Tensione di alimentazione-abs(Tensione di soglia del PMOS con polarizzazione del corpo))/Tensione di alimentazione)-1))

Ritardo di propagazione per la transizione CMOS da alto a basso output

Partire Tempo per la transizione da alto a basso dell'output = (Capacità di carico CMOS dell'inverter/(Transconduttanza di NMOS*(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo)))*((2*Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo/(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo))+ln((4*(Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di NMOS con polarizzazione del corpo)/Tensione di alimentazione)-1))

Carico resistivo Tensione di uscita minima CMOS

Partire Tensione di uscita minima del carico resistivo = Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))-sqrt((Tensione di alimentazione-Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico)))^2-(2*Tensione di alimentazione/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico)))

Massima tensione di ingresso CMOS

Partire Massima tensione di ingresso CMOS = (2*Tensione di uscita per ingresso massimo+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)-Tensione di alimentazione+Rapporto di transconduttanza*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/(1+Rapporto di transconduttanza)

CMOS di tensione di soglia

Partire Soglia di voltaggio = (Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza)*(Tensione di alimentazione+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)))/(1+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza))

Tensione di ingresso minima CMOS

Partire Tensione di ingresso minima = (Tensione di alimentazione+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)+Rapporto di transconduttanza*(2*Tensione di uscita+Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo))/(1+Rapporto di transconduttanza)

Carico resistivo Tensione di ingresso minima CMOS

Partire Tensione di ingresso minima del carico resistivo = Tensione di soglia di polarizzazione zero+sqrt((8*Tensione di alimentazione)/(3*Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))-(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))

Capacità di carico del CMOS dell'inverter in cascata

Partire Capacità di carico CMOS dell'inverter = Capacità di drenaggio del gate PMOS+Capacità di drain del gate NMOS+Capacità di massa di drenaggio PMOS+Capacità di massa di drain NMOS+Capacità interna CMOS dell'inverter+Capacità del gate CMOS dell'inverter

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS

Partire Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS = Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))

Tensione di ingresso massima per CMOS simmetrico

Partire CMOS simmetrico con tensione di ingresso massima = (3*Tensione di alimentazione+2*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/8

Ritardo medio di propagazione CMOS

Partire Ritardo medio di propagazione = (Tempo per la transizione da alto a basso dell'output+Tempo per la transizione da basso ad alto dell'output)/2

Tensione di ingresso minima per CMOS simmetrico

Partire CMOS simmetrico con tensione di ingresso minima = (5*Tensione di alimentazione-2*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/8

CMOS media della dissipazione di potenza

Partire Dissipazione di potenza media = Capacità di carico CMOS dell'inverter*(Tensione di alimentazione)^2*Frequenza

Oscillatore ad anello del periodo di oscillazione CMOS

Partire Periodo di oscillazione = 2*Oscillatore ad anello con numero di stadi*Ritardo medio di propagazione

Margine di rumore per CMOS a segnale elevato

Partire Margine di rumore per segnale alto = Tensione di uscita massima-Tensione di ingresso minima

Rapporto di transconduttanza CMOS

Partire Rapporto di transconduttanza = Transconduttanza di NMOS/Transconduttanza del PMOS

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS Formula

Carico resistivo Tensione di ingresso massima CMOS = Tensione di soglia di polarizzazione zero+(1/(Transconduttanza di NMOS*Resistenza al carico))
V_IL(RL) = V_T0+(1/(K_n*R_L))

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