Resistenza del parallelepipedo rettangolare Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 7 Variabili
Funzioni utilizzate
ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)
Variabili utilizzate
Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.
Resistività - (Misurato in Ohm Metro) - La resistività è definita come la resistenza offerta al flusso di corrente da un conduttore di lunghezza unitaria avente un'area unitaria di sezione trasversale.
Spessore dello strato - (Misurato in Metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.
Larghezza dello strato diffuso - (Misurato in Metro) - La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.
Lunghezza dello strato diffuso - (Misurato in Metro) - La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.
Larghezza del rettangolo inferiore - (Misurato in Metro) - La larghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più corto del rettangolo.
Lunghezza del rettangolo inferiore - (Misurato in Metro) - La lunghezza del rettangolo inferiore viene spesso utilizzata per descrivere il lato più lungo del rettangolo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistività: 0.062 Ohm Centimetro --> 0.00062 Ohm Metro (Controlla la conversione ​qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza dello strato diffuso: 4 Centimetro --> 0.04 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza dello strato diffuso: 25 Centimetro --> 0.25 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del rettangolo inferiore: 14 Centimetro --> 0.14 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza del rettangolo inferiore: 4.7 Centimetro --> 0.047 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b)) --> ((0.00062*1.005)/(0.04*0.25))*(ln(0.14/0.047)/(0.14-0.047))
Valutare ... ...
R = 0.731301530002495
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.731301530002495 Ohm --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.731301530002495 0.731302 Ohm <-- Resistenza
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Resistenza del parallelepipedo rettangolare Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))
R = ((ρ*t)/(W*L))*(ln(a/b)/(a-b))
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