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Resistenza dello strato diffuso calcolatrice

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✖La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.ⓘ Conduttività ohmica [σ]			+10% -10%
✖La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.ⓘ Lunghezza dello strato diffuso [L]			+10% -10%
✖La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.ⓘ Larghezza dello strato diffuso [W]			+10% -10%
✖Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.ⓘ Spessore dello strato [t]			+10% -10%

✖La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.ⓘ Resistenza dello strato diffuso [R]

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Formula

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Resistenza dello strato diffuso Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.
Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Lunghezza dello strato diffuso - (Misurato in Metro) - La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.
Larghezza dello strato diffuso - (Misurato in Metro) - La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.
Spessore dello strato - (Misurato in Metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Conduttività ohmica: 0.085 Mho/Centimetro --> 8.5 Siemens/Metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza dello strato diffuso: 25 Centimetro --> 0.25 Metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza dello strato diffuso: 4 Centimetro --> 0.04 Metro (Controlla la conversione qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Valutare ... ...

R = 0.731635937957272

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.731635937957272 Ohm --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Resistenza

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

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Conduttività di tipo N

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Conduttività ohmica delle impurità

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

LaTeX Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

LaTeX Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

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