✖Il numero di transistor del driver parallelo si riferisce al numero di transistor del driver parallelo nel circuito.ⓘ Numero di transistor del driver parallelo [n] | | | +10% -10% |
✖La mobilità elettronica nel MOSFET descrive la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il canale, influenzando direttamente il flusso di corrente per una determinata tensione.ⓘ Mobilità elettronica [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.ⓘ Capacità dell'ossido [Cox] | | | +10% -10% |
✖La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.ⓘ Larghezza del canale [W] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del canale in un MOSFET è la distanza tra le regioni di source e drain, che determina la facilità con cui scorre la corrente e influisce sulle prestazioni del transistor.ⓘ Lunghezza del canale [L] | | | +10% -10% |
✖La tensione Gate Source è la tensione applicata tra i terminali gate e source di un MOSFET.ⓘ Tensione della sorgente di gate [VGS] | | | +10% -10% |
✖La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.ⓘ Soglia di voltaggio [VT] | | | +10% -10% |
✖Tensione di uscita in un circuito MOSFET a canale n con un resistore pull-down, Vⓘ Tensione di uscita [Vout] | | | +10% -10% |