Concentrazione di protoni in condizioni sbilanciate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Concentrazione di protoni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello energetico intrinseco del semiconduttore-Livello di elettroni quasi Fermi)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 1 Funzioni, 5 Variabili
Costanti utilizzate
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Funzioni utilizzate
exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)
Variabili utilizzate
Concentrazione di protoni - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione di protoni si riferisce alla densità o all'abbondanza di protoni in un dato materiale o dispositivo. I protoni sono particelle subatomiche presenti nel nucleo di un atomo.
Concentrazione elettronica intrinseca - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione elettronica intrinseca è la n. dei portatori di carica in un semiconduttore quando è in equilibrio termico.
Livello energetico intrinseco del semiconduttore - (Misurato in Joule) - Il livello di energia intrinseca del semiconduttore si riferisce al livello di energia associato agli elettroni in assenza di impurità o influenze esterne.
Livello di elettroni quasi Fermi - (Misurato in Joule) - Il livello di elettroni quasi Fermi è il livello energetico effettivo per gli elettroni in una condizione di non equilibrio. Rappresenta l'energia fino alla quale si popolano gli elettroni.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione elettronica intrinseca: 3.6 Elettroni per metro cubo --> 3.6 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Livello energetico intrinseco del semiconduttore: 3.78 Electron-Volt --> 6.05623030740003E-19 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Livello di elettroni quasi Fermi: 3.7 Electron-Volt --> 5.92805612100003E-19 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Temperatura assoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((6.05623030740003E-19-5.92805612100003E-19)/([BoltZ]*393))
Valutare ... ...
pc = 38.2131068309601
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
38.2131068309601 Elettroni per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
38.2131068309601 38.21311 Elettroni per metro cubo <-- Concentrazione di protoni
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Gowthaman N
Vellore Istituto di Tecnologia (Università VIT), Chennai
Gowthaman N ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
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Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Dispositivi fotonici Calcolatrici

Sfasamento netto
​ LaTeX ​ Partire Sfasamento netto = pi/Lunghezza d'onda della luce*(Indice di rifrazione)^3*Lunghezza della fibra*Tensione di alimentazione
Potenza ottica irradiata
​ LaTeX ​ Partire Potenza ottica irradiata = Emissività*[Stefan-BoltZ]*Area di origine*Temperatura^4
Numero della modalità
​ LaTeX ​ Partire Numero della modalità = (2*Lunghezza della cavità*Indice di rifrazione)/Lunghezza d'onda del fotone
Lunghezza della cavità
​ LaTeX ​ Partire Lunghezza della cavità = (Lunghezza d'onda del fotone*Numero della modalità)/2

Concentrazione di protoni in condizioni sbilanciate Formula

​LaTeX ​Partire
Concentrazione di protoni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello energetico intrinseco del semiconduttore-Livello di elettroni quasi Fermi)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
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