MCM di due numeri

Tempo di propagazione calcolatrice

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✖Il numero di transistor passanti è il numero di transistor utilizzati per trasferire i segnali da una parte all'altra del circuito.ⓘ Numero di transistor di passaggio [N]			+10% -10%
✖La resistenza nel MOSFET si riferisce all'opposizione al flusso di corrente nel circuito.ⓘ Resistenza nel MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).ⓘ Capacità di carico [C_l]			+10% -10%

✖Il tempo di propagazione si riferisce al tempo impiegato da un segnale per propagarsi attraverso il transistor dall'ingresso all'uscita.ⓘ Tempo di propagazione [T_p]

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Formula

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Tempo di propagazione

Formula

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

Esempio

0.778203 s = 0.7 \cdot 13 \cdot (\frac{13 + 1}{2}) \cdot 542 Ω \cdot 22.54 μF

Calcolatrice

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Tempo di propagazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Tempo di propagazione - (Misurato in Secondo) - Il tempo di propagazione si riferisce al tempo impiegato da un segnale per propagarsi attraverso il transistor dall'ingresso all'uscita.
Numero di transistor di passaggio - Il numero di transistor passanti è il numero di transistor utilizzati per trasferire i segnali da una parte all'altra del circuito.
Resistenza nel MOSFET - (Misurato in Ohm) - La resistenza nel MOSFET si riferisce all'opposizione al flusso di corrente nel circuito.
Capacità di carico - (Misurato in Farad) - La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Numero di transistor di passaggio: 13 --> Nessuna conversione richiesta
Resistenza nel MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Nessuna conversione richiesta
Capacità di carico: 22.54 Microfarad --> 2.254E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Valutare ... ...

T_p = 0.778202516

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.778202516 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.778202516 ≈ 0.778203 Secondo <-- Tempo di propagazione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Vedi altro >>

Tempo di propagazione Formula

Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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