Calcolatrice da A a Z
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Fabbricazione di circuiti integrati MOS
Fabbricazione di circuiti integrati bipolari
Trigger di Schmitt
✖
Il numero di transistor passanti è il numero di transistor utilizzati per trasferire i segnali da una parte all'altra del circuito.
ⓘ
Numero di transistor di passaggio [N]
+10%
-10%
✖
La resistenza nel MOSFET si riferisce all'opposizione al flusso di corrente nel circuito.
ⓘ
Resistenza nel MOSFET [R
m
]
Kilohm
Megahm
Microhm
Milliohm
Ohm
Volt per Ampere
+10%
-10%
✖
La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).
ⓘ
Capacità di carico [C
l
]
Farad
Femtofarad
kilofarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
Il tempo di propagazione si riferisce al tempo impiegato da un segnale per propagarsi attraverso il transistor dall'ingresso all'uscita.
ⓘ
Tempo di propagazione [T
p
]
Miliardi di anni
Ciclo di 60 Hz AC
Ciclo di AC
Giorno
Femtosecond
Ora
Microsecondo
Millisecondo
minuto
Mese
Nanosecondo
Picosecondo
Secondo
Svedberg
Settimana
Anno
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Tempo di propagazione
Formula
T
p
=
0.7
⋅
N
⋅
(
N
+
1
2
)
⋅
R
m
⋅
C
l
Esempio
0.778203 s
=
0.7
⋅
13
⋅
(
13
+
1
2
)
⋅
542 Ω
⋅
22.54 μF
Calcolatrice
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Scaricamento Fabbricazione di circuiti integrati MOS Formule PDF
Tempo di propagazione Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tempo di propagazione
= 0.7*
Numero di transistor di passaggio
*((
Numero di transistor di passaggio
+1)/2)*
Resistenza nel MOSFET
*
Capacità di carico
T
p
= 0.7*
N
*((
N
+1)/2)*
R
m
*
C
l
Questa formula utilizza
4
Variabili
Variabili utilizzate
Tempo di propagazione
-
(Misurato in Secondo)
- Il tempo di propagazione si riferisce al tempo impiegato da un segnale per propagarsi attraverso il transistor dall'ingresso all'uscita.
Numero di transistor di passaggio
- Il numero di transistor passanti è il numero di transistor utilizzati per trasferire i segnali da una parte all'altra del circuito.
Resistenza nel MOSFET
-
(Misurato in Ohm)
- La resistenza nel MOSFET si riferisce all'opposizione al flusso di corrente nel circuito.
Capacità di carico
-
(Misurato in Farad)
- La capacità di carico si riferisce alla capacità totale che un dispositivo vede in uscita, tipicamente dovuta alla capacità dei carichi collegati e alle tracce su una scheda a circuito stampato (PCB).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Numero di transistor di passaggio:
13 --> Nessuna conversione richiesta
Resistenza nel MOSFET:
542 Ohm --> 542 Ohm Nessuna conversione richiesta
Capacità di carico:
22.54 Microfarad --> 2.254E-05 Farad
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
T
p
= 0.7*N*((N+1)/2)*R
m
*C
l
-->
0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05
Valutare ... ...
T
p
= 0.778202516
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.778202516 Secondo --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.778202516
≈
0.778203 Secondo
<--
Tempo di propagazione
(Calcolo completato in 00.020 secondi)
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Tempo di propagazione
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici
Effetto corpo nel MOSFET
Partire
Tensione di soglia con substrato
=
Tensione di soglia con zero body bias
+
Parametro dell'effetto corporeo
*(
sqrt
(2*
Potenziale di Fermi in massa
+
Tensione applicata al corpo
)-
sqrt
(2*
Potenziale di Fermi in massa
))
Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
Partire
Assorbimento di corrente
=
Parametro di transconduttanza
/2*(
Tensione della sorgente di gate
-
Tensione di soglia con zero body bias
)^2*(1+
Fattore di modulazione della lunghezza del canale
*
Tensione della sorgente di drenaggio
)
Resistenza del canale
Partire
Resistenza del canale
=
Lunghezza del transistor
/
Larghezza del transistor
*1/(
Mobilità elettronica
*
Densità del portatore
)
Frequenza di guadagno unitario MOSFET
Partire
Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET
=
Transconduttanza nei MOSFET
/(
Capacità della sorgente di gate
+
Capacità di scarico del cancello
)
Vedi altro >>
Tempo di propagazione Formula
Tempo di propagazione
= 0.7*
Numero di transistor di passaggio
*((
Numero di transistor di passaggio
+1)/2)*
Resistenza nel MOSFET
*
Capacità di carico
T
p
= 0.7*
N
*((
N
+1)/2)*
R
m
*
C
l
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