Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET calcolatrice

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza [g_m]			+10% -10%
✖La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.ⓘ Tensione di overdrive [V_ov]			+10% -10%

✖Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET [k_n]

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Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
k_n = g_m/V_ov
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Tensione di overdrive - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione qui)
Tensione di overdrive: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

k_n = g_m/V_ov --> 0.0005/0.32

Valutare ... ...

k_n = 0.0015625

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0015625 Ampere per Volt Quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0015625 ≈ 0.001562 Ampere per Volt Quadrato <-- Parametro di transconduttanza

(Calcolo completato in 00.017 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

LaTeX Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Vedi altro >>

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET Formula

LaTeX Partire

Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
k_n = g_m/V_ov

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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