Parametro di transconduttanza di processo di PMOS calcolatrice

✖La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,ⓘ Mobilità dei fori nel canale [μ_p]			+10% -10%
✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità di ossido [C_ox]			+10% -10%

✖Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo di PMOS [k'_p]

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Parametro di transconduttanza di processo di PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido
k'_p = μ_p*C_ox
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Mobilità dei fori nel canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori nel canale dipende da vari fattori come la struttura cristallina del materiale semiconduttore, la presenza di impurità, la temperatura,
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità dei fori nel canale: 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.66 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità di ossido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Valutare ... ...

k'_p = 0.002128

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.002128 Siemens -->2.128 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

2.128 Millisiemens <-- Parametro di transconduttanza di processo in PMOS

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale P Calcolatrici

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Vedi altro >>

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS Formula

LaTeX Partire

Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido
k'_p = μ_p*C_ox

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità esaurimento è disponibile in una N o una P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o una P

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