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Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖Il MOSFET a densità di potenza è definito come una misura della potenza in uscita per unità di area. Quantifica quanta potenza viene distribuita in un dato spazio.ⓘ MOSFET a densità di potenza [P_D]			+10% -10%
✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%

✖La densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione è definita come una misura della potenza in uscita per unità di area. Quantifica la distribuzione della potenza all'interno di un dato spazio quando il MOSFET viene ridotto mediante il metodo di ridimensionamento della tensione.ⓘ Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione VLSI [P_D']

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Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione = MOSFET a densità di potenza*(Fattore di scala)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione - La densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione è definita come una misura della potenza in uscita per unità di area. Quantifica la distribuzione della potenza all'interno di un dato spazio quando il MOSFET viene ridotto mediante il metodo di ridimensionamento della tensione.
MOSFET a densità di potenza - Il MOSFET a densità di potenza è definito come una misura della potenza in uscita per unità di area. Quantifica quanta potenza viene distribuita in un dato spazio.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

MOSFET a densità di potenza: 20 --> Nessuna conversione richiesta
Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

P_D' = P_D*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3

Valutare ... ...

P_D' = 67.5

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

67.5 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

67.5 <-- Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Formula

LaTeX Partire

Densità di potenza dopo il ridimensionamento della tensione = MOSFET a densità di potenza*(Fattore di scala)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3

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