Potenziale tra sorgente e corpo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili
Funzioni utilizzate
ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)
Variabili utilizzate
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione intrinseca: 14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))
Valutare ... ...
Vsb = 0.255133406849134
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.255133406849134 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.255133406849134 0.255133 Volt <-- Differenza di potenziale del corpo sorgente
(Calcolo completato in 00.008 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Capacità da gate a base
​ LaTeX ​ Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)
Tensione di drenaggio
​ LaTeX ​ Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))
Gate to Channel Voltage
​ LaTeX ​ Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio
Porta al potenziale del collezionista
​ LaTeX ​ Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Potenziale tra sorgente e corpo Formula

​LaTeX ​Partire
Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
Vsb = Φs/(2*ln(NA/Ni))

In che modo il corpo influisce sulla tensione di soglia?

I transistor sono dispositivi a quattro terminali. Sono porta, sorgente, drenaggio e corpo. Quando una tensione Vsb viene applicata tra la sorgente e il corpo, aumenta la quantità di carica richiesta per invertire il canale, quindi aumenta la tensione di soglia. L'effetto body degrada ulteriormente le prestazioni dei pass transistor che cercano di superare il valore debole.

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