MCD di due numeri

Potenziale tra sorgente e corpo calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.ⓘ Potenziale di superficie [Φ_s]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.ⓘ Concentrazione intrinseca [N_i]			+10% -10%

✖La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.ⓘ Potenziale tra sorgente e corpo [V_sb]

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Potenziale tra sorgente e corpo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione intrinseca: 14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Valutare ... ...

V_sb = 0.255133406849134

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.255133406849134 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Differenza di potenziale del corpo sorgente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

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Capacità da gate a base

LaTeX Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

LaTeX Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Gate to Channel Voltage

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Porta al potenziale del collezionista

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Vedi altro >>

Potenziale tra sorgente e corpo Formula

LaTeX Partire

Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

In che modo il corpo influisce sulla tensione di soglia?

I transistor sono dispositivi a quattro terminali. Sono porta, sorgente, drenaggio e corpo. Quando una tensione Vsb viene applicata tra la sorgente e il corpo, aumenta la quantità di carica richiesta per invertire il canale, quindi aumenta la tensione di soglia. L'effetto body degrada ulteriormente le prestazioni dei pass transistor che cercano di superare il valore debole.

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