MCM di due numeri

Potenziale da Drain a Source calcolatrice

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Progettazione VLSI analogica Ottimizzazione dei materiali VLSI

✖La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.ⓘ Tensione di soglia DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.ⓘ Coefficiente DIBL [η]			+10% -10%

✖Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.ⓘ Potenziale da Drain a Source [V_ds]

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Potenziale da Drain a Source Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Drenare al potenziale di origine - (Misurato in Volt) - Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.
Tensione di soglia DIBL - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Coefficiente DIBL - Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione di soglia DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Coefficiente DIBL: 0.2 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Valutare ... ...

V_ds = 1.45

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.45 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.45 Volt <-- Drenare al potenziale di origine

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Capacità da gate a base

LaTeX Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)

Tensione di drenaggio

LaTeX Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))

Gate to Channel Voltage

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio

Porta al potenziale del collezionista

LaTeX Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2

Vedi altro >>

Potenziale da Drain a Source Formula

LaTeX Partire

Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η

Cos'è la regione di esaurimento?

Quando la tensione positiva viene trasmessa attraverso il Gate, i fori liberi (carica positiva) vengono respinti o respinti dalla regione del substrato sotto il Gate. Quando questi fori vengono spinti lungo il substrato, lasciano una regione di esaurimento del supporto.

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