Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Corrente di ingresso - (Misurato in Ampere) - La corrente di ingresso può riferirsi alla corrente elettrica che scorre in un dispositivo o circuito elettrico. Questa corrente può essere CA o CC a seconda del dispositivo e della fonte di alimentazione.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Frequenza angolare - (Misurato in Radiante al secondo) - La frequenza angolare dell'onda si riferisce allo spostamento angolare per unità di tempo. È una misura scalare della velocità di rotazione.
Capacità del gate della sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).
Capacità di gate-drain - (Misurato in Farad) - La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Frequenza angolare: 33 Radiante al secondo --> 33 Radiante al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità del gate della sorgente: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Capacità di gate-drain: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))
Valutare ... ...
Iin = 0.00200112
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.00200112 Ampere -->2.00112 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
2.00112 Millampere <-- Corrente di ingresso
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Voltaggio Calcolatrici

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Formula

​LaTeX ​Partire
Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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