Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS calcolatrice

✖Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.ⓘ Parametro dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%

✖La tensione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.ⓘ Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS [V]

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Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
V = V_A*L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione è la differenza di potenziale elettrico tra due punti, definita come il lavoro necessario per unità di carica per spostare una carica di prova tra i due punti.
Parametro dispositivo - (Misurato in Volt) - Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V = V_A*L --> 4*3E-06

Valutare ... ...

V = 1.2E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.2E-05 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.2E-05 ≈ 1.2E-5 Volt <-- Voltaggio

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

NMOS come resistenza lineare

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

LaTeX Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS Formula

LaTeX Partire

Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
V = V_A*L

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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