MCM di due numeri

Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI calcolatrice

Ingegneria Chimica Finanziario Fisica Di Più >>

↳

Elettronica Civile Elettrico Elettronica e strumentazione Di Più >>

⤿

Fabbricazione VLSI Amplificatori Antenna e propagazione delle onde Circuiti integrati (IC)Di Più >>

⤿

Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.ⓘ Tensione incorporata di giunzione [Ø₀]			+10% -10%
✖Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.ⓘ Drenare al potenziale di origine [V_ds]			+10% -10%

✖La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio.ⓘ Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI [x_dD]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Elettronica Formula PDF PDF Image

Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))*(Tensione incorporata di giunzione+Drenare al potenziale di origine))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Questa formula utilizza 3 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto Valore preso come 8.85E-12
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio - (Misurato in Metro) - La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Tensione incorporata di giunzione - (Misurato in Volt) - La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.
Drenare al potenziale di origine - (Misurato in Volt) - Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Tensione incorporata di giunzione: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Nessuna conversione richiesta
Drenare al potenziale di origine: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Valutare ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.34466520692296E-07 Metro -->0.534466520692296 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Micrometro <-- Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Fabbricazione VLSI » Ottimizzazione dei materiali VLSI » Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI

Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>