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Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.ⓘ Tensione incorporata di giunzione [Ø₀]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%

✖La profondità di esaurimento della giunzione Pn con sorgente è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico.ⓘ Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI [x_dS]

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Formula

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Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Formula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Esempio

0.313423 μm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76 V}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}}

Calcolatrice

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Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A))
Questa formula utilizza 3 Costanti, 1 Funzioni, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto Valore preso come 8.85E-12
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente - (Misurato in Metro) - La profondità di esaurimento della giunzione Pn con sorgente è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico.
Tensione incorporata di giunzione - (Misurato in Volt) - La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione incorporata di giunzione: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22))

Valutare ... ...

x_dS = 3.13423217933622E-07

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.13423217933622E-07 Metro -->0.313423217933622 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.313423217933622 ≈ 0.313423 Micrometro <-- Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

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