Sfasamento nel circuito RC di ingresso calcolatrice

✖La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.ⓘ Reattanza capacitiva [X_c]			+10% -10%
✖La resistenza di ingresso è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm (Ω). Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.ⓘ Resistenza in ingresso [R_in]			+10% -10%

✖Lo spostamento di fase è lo spostamento orizzontale di una forma d'onda rispetto alla sua posizione originale. Si misura in gradi o radianti e può essere positivo o negativo.ⓘ Sfasamento nel circuito RC di ingresso [θ]

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Formula

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Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Formula

θ = \arctan (\frac{X c}{R in})

Esempio

0.000573 ° = \arctan (\frac{0.002 Ω}{200 Ω})

Calcolatrice

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Sfasamento nel circuito RC di ingresso Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)
θ = arctan(X_c/R_in)
Questa formula utilizza 3 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

tan - La tangente di un angolo è il rapporto trigonometrico tra la lunghezza del lato opposto all'angolo e la lunghezza del lato adiacente all'angolo in un triangolo rettangolo., tan(Angle)
ctan - La cotangente è una funzione trigonometrica definita come il rapporto tra il lato adiacente e il lato opposto in un triangolo rettangolo., ctan(Angle)
arctan - Le funzioni trigonometriche inverse sono solitamente accompagnate dal prefisso - arco. Matematicamente, rappresentiamo arctan o la funzione tangente inversa come tan-1 x o arctan(x)., arctan(Number)

Variabili utilizzate

Sfasamento - (Misurato in Radiante) - Lo spostamento di fase è lo spostamento orizzontale di una forma d'onda rispetto alla sua posizione originale. Si misura in gradi o radianti e può essere positivo o negativo.
Reattanza capacitiva - (Misurato in Ohm) - La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm (Ω). Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Reattanza capacitiva: 0.002 Ohm --> 0.002 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza in ingresso: 200 Ohm --> 200 Ohm Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

θ = arctan(X_c/R_in) --> arctan(0.002/200)

Valutare ... ...

θ = 9.99999999966667E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

9.99999999966667E-06 Radiante -->0.000572957795111833 Grado (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.000572957795111833 ≈ 0.000573 Grado <-- Sfasamento

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Vedi altro >>

Sfasamento nel circuito RC di ingresso Formula

Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)
θ = arctan(X_c/R_in)

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