✖La permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.ⓘ Permittività dello strato di ossido [εox] | | | +10% -10% |
✖La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.ⓘ Larghezza del cancello [Wg] | | | +10% -10% |
✖La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.ⓘ Lunghezza del cancello [Lg] | | | +10% -10% |
✖La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).ⓘ Capacità del gate di ingresso [Cin] | | | +10% -10% |