MCD di due numeri

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%
✖La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.ⓘ Capacità di ossido per unità di area [C_oxide]			+10% -10%

✖La capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido tra il gate metallico e il substrato dopo che il dispositivo è stato ridimensionato mediante il ridimensionamento della tensione.ⓘ Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione VLSI [C_ox(vs)']

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Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione = Fattore di scala*Capacità di ossido per unità di area
C_ox(vs)' = Sf*C_oxide
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido tra il gate metallico e il substrato dopo che il dispositivo è stato ridimensionato mediante il ridimensionamento della tensione.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.
Capacità di ossido per unità di area - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta
Capacità di ossido per unità di area: 0.0703 Microfarad per centimetro quadrato --> 0.000703 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_ox(vs)' = Sf*C_oxide --> 1.5*0.000703

Valutare ... ...

C_ox(vs)' = 0.0010545

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0010545 Farad per metro quadrato -->105.45 Nanofarad per centimetro quadrato (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

105.45 Nanofarad per centimetro quadrato <-- Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione VLSI Formula

LaTeX Partire

Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione = Fattore di scala*Capacità di ossido per unità di area
C_ox(vs)' = Sf*C_oxide

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