Tensione di overdrive del PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)
Vov = VGS-modulus(VT)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili
Funzioni utilizzate
modulus - Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero., modulus
Variabili utilizzate
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione tra Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vov = VGS-modulus(VT) --> 2.86-modulus(0.7)
Valutare ... ...
Vov = 2.16
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.16 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.16 Volt <-- Tensione effettiva
(Calcolo completato in 00.021 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Miglioramento del canale P Calcolatrici

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)
Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
​ LaTeX ​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2
Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
​ LaTeX ​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Tensione di overdrive del PMOS Formula

​LaTeX ​Partire
Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)
Vov = VGS-modulus(VT)

Perché la tensione di soglia è negativa in PMOS?

Tipicamente, la tensione di soglia è la tensione Vgs richiesta per iniziare a formare il canale denominato inversione di canale. In caso di PMOS, i terminali bulk / substrato e sorgente sono collegati a Vdd. Con riferimento al terminale di source, se inizi a ridurre la tensione di gate da Vdd (esattamente opposto a NMOS dove inizi la tensione di gate da zero) a un punto in cui osservi l'inversione del canale, a questo punto se calcoli Vgs e source essendo al potenziale più alto, ottieni un valore negativo. Questo è il motivo per cui hai un valore negativo di Vth per un PMOS. Con un argomento simile, vedrai che NMOS avrà un V positivo.

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