✖Il parametro di transconduttanza di processo in PMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL] | | | +10% -10% |
✖La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.ⓘ Tensione tra Gate e Source [VGS] | | | +10% -10% |
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [VT] | | | +10% -10% |
✖La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS.ⓘ Tensione tra Drain e Source [VDS] | | | +10% -10% |
✖La tensione iniziale dipende interamente dalla tecnologia di processo, con le dimensioni di volt per micron.ⓘ Tensione iniziale [Va] | | | +10% -10% |