Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore calcolatrice

Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)
R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Resistenza di uscita finita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.
Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Resistenza dell'emettitore - (Misurato in Ohm) - La resistenza dell'emettitore è una resistenza dinamica del diodo di giunzione emettitore-base di un transistor.
Resistenza di ingresso del segnale piccolo - (Misurato in Ohm) - Resistenza di ingresso per piccolo segnale 2 tra base ed emettitore modella il modo in cui l'impedenza di ingresso tra i terminali della base e dell'emettitore del transistor cambia quando viene applicato un piccolo segnale CA.

(Calcolo completato in 00.018 secondi)