Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico calcolatrice

✖Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.ⓘ Parametro dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖Corrente di drenaggio senza modulazione della lunghezza del canale significa che la corrente di drenaggio nella regione di saturazione aumenterà leggermente all'aumentare della tensione da pozzo a sorgente.ⓘ Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale [I_D']			+10% -10%

✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico [R_out]

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Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
R_out = V_A/I_D'
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Parametro dispositivo - (Misurato in Volt) - Il parametro del dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo al MOSFET. VA è proporzionale alla lunghezza del canale L che il progettista seleziona per un MOSFET.
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale - (Misurato in Ampere) - Corrente di drenaggio senza modulazione della lunghezza del canale significa che la corrente di drenaggio nella regione di saturazione aumenterà leggermente all'aumentare della tensione da pozzo a sorgente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale: 3.2 Millampere --> 0.0032 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_out = V_A/I_D' --> 4/0.0032

Valutare ... ...

R_out = 1250

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1250 Ohm -->1.25 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.25 Kilohm <-- Resistenza di uscita

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

NMOS come resistenza lineare

LaTeX Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

LaTeX Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico Formula

LaTeX Partire

Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
R_out = V_A/I_D'

Cos'è un MOSFET e come funziona?

In generale, il MOSFET funziona come un interruttore, il MOSFET controlla il flusso di tensione e corrente tra la sorgente e lo scarico. Il funzionamento del MOSFET dipende dal condensatore MOS, che è la superficie del semiconduttore sotto gli strati di ossido tra il terminale di source e quello di drain.

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