Calcolatrice da A a Z
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Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale calcolatrice
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La modulazione della lunghezza del canale è una misura di quanto cambia la lunghezza effettiva del canale del FET con la tensione drain-to-source.
ⓘ
Modulazione della lunghezza del canale [λ
c
]
+10%
-10%
✖
La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
ⓘ
Assorbimento di corrente [i
d
]
Ampere
Centiampere
Deciampere
Ettoampere
microampere
Millampere
Nanoampere
Picoampere
+10%
-10%
✖
La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
ⓘ
Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale [R
out
]
Kilohm
Megahm
Microhm
Milliohm
Ohm
Volt per Ampere
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza di uscita
= 1/(
Modulazione della lunghezza del canale
*
Assorbimento di corrente
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
Questa formula utilizza
3
Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza di uscita
-
(Misurato in Ohm)
- La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Modulazione della lunghezza del canale
- La modulazione della lunghezza del canale è una misura di quanto cambia la lunghezza effettiva del canale del FET con la tensione drain-to-source.
Assorbimento di corrente
-
(Misurato in Ampere)
- La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Modulazione della lunghezza del canale:
7.89 --> Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente:
0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
R
out
= 1/(λ
c
*i
d
) -->
1/(7.89*8E-05)
Valutare ... ...
R
out
= 1584.28390367554
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1584.28390367554 Ohm -->1.58428390367554 Kilohm
(Controlla la conversione
qui
)
RISPOSTA FINALE
1.58428390367554
≈
1.584284 Kilohm
<--
Resistenza di uscita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale
Titoli di coda
Creato da
Suma Madhuri
Università VIT
(VIT)
,
Chennai
Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Parminder Singh
Università di Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!
<
Resistenza Calcolatrici
MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto
LaTeX
Partire
Resistenza lineare
=
Lunghezza del canale
/(
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale
*
Capacità dell'ossido
*
Larghezza del canale
*
Tensione effettiva
)
Resistenza finita tra Drain e Source
LaTeX
Partire
Resistenza finita
=
modulus
(
Tensione continua positiva
)/
Assorbimento di corrente
Percorso libero medio elettronico
LaTeX
Partire
Percorso libero medio elettronico
= 1/(
Resistenza di uscita
*
Assorbimento di corrente
)
Resistenza uscita scarico
LaTeX
Partire
Resistenza di uscita
= 1/(
Percorso libero medio elettronico
*
Assorbimento di corrente
)
Vedi altro >>
Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale Formula
LaTeX
Partire
Resistenza di uscita
= 1/(
Modulazione della lunghezza del canale
*
Assorbimento di corrente
)
R
out
= 1/(
λ
c
*
i
d
)
Casa
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