Guadagno di tensione del cascode bipolare a circuito aperto calcolatrice

Guadagno di tensione del cascode bipolare = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Transconduttanza secondaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
A_fo = -g_mp*(g_ms*R_out)*(1/R_out1+1/R_sm)^-1
Questa formula utilizza 6 Variabili
Guadagno di tensione del cascode bipolare - Il guadagno di tensione cascode bipolare si riferisce a un tipo di configurazione dell'amplificatore che utilizza due transistor in una configurazione cascode per ottenere un guadagno di tensione più elevato rispetto a un amplificatore a transistor singolo.
Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Transconduttanza secondaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza secondaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Resistenza di uscita finita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.
Resistenza di uscita finita del transistor 1 - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita finita del transistor 1 è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor con le variazioni della tensione di uscita.
Resistenza di ingresso del segnale piccolo - (Misurato in Ohm) - Resistenza di ingresso per piccolo segnale 2 tra base ed emettitore modella il modo in cui l'impedenza di ingresso tra i terminali della base e dell'emettitore del transistor cambia quando viene applicato un piccolo segnale CA.

(Calcolo completato in 00.020 secondi)