Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET calcolatrice

✖La conduttanza del canale FET è la misura di quanto bene il canale di un FET conduce la corrente. È determinato dalla mobilità dei portatori di carica nel canale.ⓘ FET conduttanza del canale [G_o(fet)]			+10% -10%
✖La tensione di drain source FET è la tensione tra il drain e il terminale source di un FET.ⓘ FET di tensione della sorgente di drenaggio [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.ⓘ FET potenziale di superficie [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖La tensione Pinch OFF è la tensione alla quale il canale di un transistor ad effetto di campo (FET) diventa così stretto da chiudersi effettivamente, impedendo qualsiasi ulteriore flusso di corrente.ⓘ Tensione di spegnimento [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Drain Current FET è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del FET.ⓘ Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET [I_d(fet)]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Dispositivi transistor avanzati Formule PDF PDF Image

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento della corrente FET - (Misurato in Ampere) - Drain Current FET è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del FET.
FET conduttanza del canale - (Misurato in Siemens) - La conduttanza del canale FET è la misura di quanto bene il canale di un FET conduce la corrente. È determinato dalla mobilità dei portatori di carica nel canale.
FET di tensione della sorgente di drenaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di drain source FET è la tensione tra il drain e il terminale source di un FET.
FET potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.
Tensione di spegnimento - (Misurato in Volt) - La tensione Pinch OFF è la tensione alla quale il canale di un transistor ad effetto di campo (FET) diventa così stretto da chiudersi effettivamente, impedendo qualsiasi ulteriore flusso di corrente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

FET conduttanza del canale: 0.24 Millisiemens --> 0.00024 Siemens (Controlla la conversione qui)
FET di tensione della sorgente di drenaggio: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Nessuna conversione richiesta
FET potenziale di superficie: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di spegnimento: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Valutare ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000305501451597179 Ampere -->0.305501451597179 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Millampere <-- Assorbimento della corrente FET

(Calcolo completato in 00.006 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettrico » Elettronica di potenza » Dispositivi transistor avanzati » FET » Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET

Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< FET Calcolatrici

Scarica la tensione della sorgente del FET

LaTeX Partire FET di tensione della sorgente di drenaggio = Tensione di alimentazione al FET di drenaggio-Assorbimento della corrente FET*(FET di resistenza al drenaggio+FET di resistenza della sorgente)

Transconduttanza del FET

LaTeX Partire FET a transconduttanza diretta = (2*Corrente di drenaggio polarizzata zero)/Tensione di spegnimento*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/Tensione di spegnimento)

Corrente di drenaggio del FET

LaTeX Partire Assorbimento della corrente FET = Corrente di drenaggio polarizzata zero*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET di tensione di interruzione)^2

Ridurre la tensione del FET

LaTeX Partire Tensione di spegnimento = FET di tensione della sorgente di drenaggio Pinch OFF-FET di tensione della sorgente di drenaggio

Vedi altro >>