Conduttività ohmica delle impurità Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di elettroni - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.
Mobilità del silicio drogato con fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.
Concentrazione dei fori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di elettroni: 50.6 1 per centimetro cubo --> 50600000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio drogato con fori: 2.4 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.00024 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione dei fori: 0.69 1 per centimetro cubo --> 690000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Valutare ... ...
σ = 10.442
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
10.442 Siemens/Metro -->0.10442 Mho/Centimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.10442 Mho/Centimetro <-- Conduttività ohmica
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
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Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Conduttività ohmica delle impurità Formula

​LaTeX ​Partire
Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
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