NMOS come resistenza lineare Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))
Questa formula utilizza 7 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - La resistenza lineare agisce come resistenza variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Tensione sorgente gate - (Misurato in Volt) - Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale: 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità di ossido: 2.02 Microfarad --> 2.02E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Tensione sorgente gate: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))
Valutare ... ...
rDS = 7960.70173055041
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
7.96070173055041 7.960702 Kilohm <-- Resistenza lineare
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
​ LaTeX ​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
NMOS come resistenza lineare
​ LaTeX ​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
​ LaTeX ​ Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

NMOS come resistenza lineare Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))

Qual è la condizione per utilizzare il MOSFET come resistenza lineare?

Quando aumenti lentamente la tensione di gate, il MOSFET inizia lentamente a condurre entrando nella regione lineare dove inizia a sviluppare una tensione attraverso di essa che chiamiamo V

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!