Guadagno di tensione negativo dell'amplificatore Cascode Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Guadagno di tensione negativo = -(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra)
Avn = -(gmp*Rdg)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Guadagno di tensione negativo - Il guadagno di tensione negativo si riferisce alla situazione in cui la tensione di uscita di un circuito è inferiore alla tensione di ingresso.
Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Resistenza tra scarico e terra - (Misurato in Ohm) - La resistenza tra Drain e Ground è la resistenza che si trova tra il terminale di drain del primo transistor e la terra.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza primaria MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Controlla la conversione ​qui)
Resistenza tra scarico e terra: 0.24 Kilohm --> 240 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Avn = -(gmp*Rdg) --> -(0.01977*240)
Valutare ... ...
Avn = -4.7448
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
-4.7448 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
-4.7448 <-- Guadagno di tensione negativo
(Calcolo completato in 00.007 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

Amplificatore Cascode Calcolatrici

Guadagno di tensione del cascode bipolare a circuito aperto
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione del cascode bipolare = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Transconduttanza secondaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
Resistenza di drenaggio dell'amplificatore Cascode
​ LaTeX ​ Partire Resistenza allo scarico = (Guadagno della tensione di uscita/(Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita))
Guadagno della tensione di uscita dell'amplificatore MOS Cascode
​ LaTeX ​ Partire Guadagno della tensione di uscita = -Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita*Resistenza allo scarico
Guadagno di tensione negativo dell'amplificatore Cascode
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione negativo = -(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra)

Amplificatori a transistor multistadio Calcolatrici

Guadagno di tensione del cascode bipolare a circuito aperto
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione del cascode bipolare = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Transconduttanza secondaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
Resistenza di drenaggio dell'amplificatore Cascode
​ LaTeX ​ Partire Resistenza allo scarico = (Guadagno della tensione di uscita/(Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita))
Guadagno della tensione di uscita dell'amplificatore MOS Cascode
​ LaTeX ​ Partire Guadagno della tensione di uscita = -Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita*Resistenza allo scarico
Resistenza equivalente dell'amplificatore Cascode
​ LaTeX ​ Partire Resistenza tra scarico e terra = (1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza in ingresso)^-1

Guadagno di tensione negativo dell'amplificatore Cascode Formula

​LaTeX ​Partire
Guadagno di tensione negativo = -(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra)
Avn = -(gmp*Rdg)

Quali sono le applicazioni dell'amplificatore cascode?

L'amplificatore cascode viene utilizzato per migliorare le prestazioni di un circuito analogico. L'utilizzo di cascode è un metodo comune che può essere utilizzato nelle applicazioni di transistor e tubi a vuoto.

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