VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto = ((Parametro empirico*Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato)/(Larghezza del canale*Capacità di ossido per unità di area))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione dell'accettore*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potenziale di superficie)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
Questa formula utilizza 3 Costanti, 2 Funzioni, 7 Variabili
Costanti utilizzate
[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto Valore preso come 8.85E-12
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
abs - Il valore assoluto di un numero è la sua distanza da zero sulla retta numerica. È sempre un valore positivo, poiché rappresenta la grandezza di un numero senza considerare la sua direzione., abs(Number)
Variabili utilizzate
Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET.
Parametro empirico - Il parametro empirico è una costante o un valore utilizzato in un modello, un'equazione o una teoria che deriva da esperimenti e osservazioni anziché essere dedotto teoricamente.
Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato - (Misurato in Metro) - L'esaurimento di massa in estensione verticale nel substrato si riferisce alla profondità della regione di svuotamento nel substrato (massa) del MOSFET.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale è definita come la larghezza fisica del canale del semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.
Capacità di ossido per unità di area - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro empirico: 1.57 --> Nessuna conversione richiesta
Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato: 1.25 Micrometro --> 1.25E-06 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del canale: 2.5 Micrometro --> 2.5E-06 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Capacità di ossido per unità di area: 0.0703 Microfarad per centimetro quadrato --> 0.000703 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Potenziale di superficie: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs))) --> ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86)))
Valutare ... ...
ΔVT0(nc) = 2.38246289976913
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.38246289976913 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.38246289976913 2.382463 Volt <-- Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Priyanka Patel
Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ LaTeX ​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Formula

​LaTeX ​Partire
Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto = ((Parametro empirico*Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato)/(Larghezza del canale*Capacità di ossido per unità di area))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione dell'accettore*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potenziale di superficie)))
ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))
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