Larghezza tipo N Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e])
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Variabili utilizzate
Penetrazione di carica di tipo N - (Misurato in Metro) - La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione dell'accettore: 7.9E+35 1 per metro cubo --> 7.9E+35 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e]) --> 13/(5.4013E-09*7.9E+35*[Charge-e])
Valutare ... ...
xno = 1.90154922096807E-08
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.90154922096807E-08 Metro -->0.0190154922096807 Micrometro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.0190154922096807 0.019015 Micrometro <-- Penetrazione di carica di tipo N
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Giunzione SSD Calcolatrici

Capacità di giunzione
​ LaTeX ​ Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))
Resistenza in serie nel tipo P
​ LaTeX ​ Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N
Tensione di giunzione
​ LaTeX ​ Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica
Larghezza tipo N
​ LaTeX ​ Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Larghezza tipo N Formula

​LaTeX ​Partire
Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])
xno = |Q|/(Aj*Na*[Charge-e])

Che cosa sono le correnti di diffusione e di deriva?

La corrente di deriva dipende dal campo elettrico applicato, se non c'è campo elettrico non c'è corrente di deriva. La corrente di diffusione si verifica anche se non c'è un campo elettrico applicato al semiconduttore.

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