Calcolatore mcm

Frequenza di guadagno unitario MOSFET calcolatrice

Ingegneria Chimica Finanziario Fisica Di Più >>

↳

Elettronica Civile Elettrico Elettronica e strumentazione Di Più >>

⤿

Circuiti integrati (IC)Amplificatori Antenna e propagazione delle onde Comunicazione digitale Di Più >>

⤿

Fabbricazione di circuiti integrati MOS Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Trigger di Schmitt

✖La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.ⓘ Transconduttanza nei MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Capacità della sorgente di gate [C_gs]			+10% -10%
✖La capacità di drenaggio del gate si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e di drenaggio del dispositivo.ⓘ Capacità di scarico del cancello [C_gd]			+10% -10%

✖La frequenza di guadagno unitario nel MOSFET si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di tensione del dispositivo scende a 1 (0 dB) in una configurazione a sorgente comune con un carico resistivo.ⓘ Frequenza di guadagno unitario MOSFET [f_t]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Fabbricazione di circuiti integrati MOS Formule PDF PDF Image

Frequenza di guadagno unitario MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET - (Misurato in Hertz) - La frequenza di guadagno unitario nel MOSFET si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di tensione del dispositivo scende a 1 (0 dB) in una configurazione a sorgente comune con un carico resistivo.
Transconduttanza nei MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.
Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Capacità di scarico del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di drenaggio del gate si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e di drenaggio del dispositivo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza nei MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di scarico del cancello: 2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Valutare ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Circuiti integrati (IC) » Fabbricazione di circuiti integrati MOS » Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Effetto corpo nel MOSFET

LaTeX Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

LaTeX Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

LaTeX Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Vedi altro >>

Frequenza di guadagno unitario MOSFET Formula

LaTeX Partire

Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!