Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido calcolatrice

Transconduttanza nei MOSFET = sqrt(2*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*(Larghezza del transistor/Lunghezza del transistor)*Assorbimento di corrente)
g_m = sqrt(2*μ_n*C_ox*(W_t/L_t)*I_d)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 6 Variabili
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)Transconduttanza nei MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.
Mobilità elettronica - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
Larghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Lunghezza del transistor - (Misurato in Metro) - La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain si riferisce alla corrente che scorre tra i terminali di drain e source del transistor quando è in funzione.

(Calcolo completato in 00.020 secondi)