MOSFET Transconduttanza calcolatrice

✖La variazione della corrente di drain indica la variazione della capacità di conduzione di corrente del chip di silicio; può essere utilizzato come guida quando si confrontano diversi dispositivi.ⓘ Modifica della corrente di scarico [ΔI_d]			+10% -10%
✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ MOSFET Transconduttanza [g_m]

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MOSFET Transconduttanza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source
g_m = ΔI_d/V_gs
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Modifica della corrente di scarico - (Misurato in Ampere) - La variazione della corrente di drain indica la variazione della capacità di conduzione di corrente del chip di silicio; può essere utilizzato come guida quando si confrontano diversi dispositivi.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Modifica della corrente di scarico: 2 Millampere --> 0.002 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Valutare ... ...

g_m = 0.0005

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.5 Millisiemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

LaTeX Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Vedi altro >>

MOSFET Transconduttanza Formula

LaTeX Partire

Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source
g_m = ΔI_d/V_gs

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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