MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto calcolatrice

Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

(Calcolo completato in 00.020 secondi)