MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza lineare - (Misurato in Ohm) - Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale: 38 Metro quadrato per Volt al secondo --> 38 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)
Valutare ... ...
Rds = 164.679533627561
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.164679533627561 0.16468 Kilohm <-- Resistenza lineare
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto
​ LaTeX ​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
Resistenza finita tra Drain e Source
​ LaTeX ​ Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente
Percorso libero medio elettronico
​ LaTeX ​ Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)
Resistenza uscita scarico
​ LaTeX ​ Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
Rds = L/(μs*Cox*Wc*Veff)

Qual è la condizione per utilizzare il MOSFET come resistenza lineare?

Quando aumenti lentamente la tensione di gate, il MOSFET inizia a condurre lentamente entrando nella regione lineare dove inizia a sviluppare una tensione ai suoi capi che chiamiamo V DS. In questa regione, il MOSFET agisce come una resistenza di valore finito.

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