Mobilità in Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
μeff = Kp/Cox
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Mobilità nei MOSFET - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.
K Primo - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
K Primo: 4.502 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 0.0004502 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 29.83 Microfarad per millimetro quadrato --> 29.83 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
μeff = Kp/Cox --> 0.0004502/29.83
Valutare ... ...
μeff = 1.50921890714046E-05
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.50921890714046E-05 Metro quadrato per Volt al secondo -->0.150921890714046 Centimetro quadrato per Volt Secondo (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.150921890714046 0.150922 Centimetro quadrato per Volt Secondo <-- Mobilità nei MOSFET
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Mobilità in Mosfet Formula

Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
μeff = Kp/Cox

In che modo la mobilità influisce sul funzionamento del CMOS?

La mobilità in CMOS si riferisce al movimento dei portatori di carica (elettroni e lacune) nei canali dei transistor. Influisce sul guadagno e sull'inventario corrente del transistor, quindi sul funzionamento complessivo del circuito CMOS. La mobilità determina la velocità di commutazione e la tensione di gate applicabile di un transistor CMOS.

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