Calcolatrice da A a Z
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La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
ⓘ
Transconduttanza del MESFET [G
m
]
Abmho
Ampere/Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosimens
Megasiemens
Mho
Micromo
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantizzato Sala conduttanza
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
ⓘ
Capacità della sorgente di gate [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Decafarad
Decifarad
EMU di capacità
ESU di capacità
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Ettofarad
kilofarad
Megafarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
La frequenza di taglio MESFET rappresenta la frequenza alla quale il guadagno di corrente (o transconduttanza) del transistor inizia a diminuire in modo significativo.
ⓘ
Frequenza di taglio MESFET [f
co
]
Attohertz
Battiti / min
Centohertz
Ciclo/secondo
Decahertz
Decihertz
Exahertz
Femtohertz
Fotogrammi al secondo
Gigahertz
ettohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Rivoluzione al giorno
Rivoluzione all'ora
Rivoluzione al minuto
Rivoluzione al secondo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Frequenza di taglio MESFET
Formula
`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`
Esempio
`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`
Calcolatrice
LaTeX
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Scaricamento Dispositivi a semiconduttore a microonde Formula PDF
Frequenza di taglio MESFET Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza di taglio MESFET
=
Transconduttanza del MESFET
/(2*
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Questa formula utilizza
1
Costanti
,
3
Variabili
Costanti utilizzate
pi
- Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Frequenza di taglio MESFET
-
(Misurato in Hertz)
- La frequenza di taglio MESFET rappresenta la frequenza alla quale il guadagno di corrente (o transconduttanza) del transistor inizia a diminuire in modo significativo.
Transconduttanza del MESFET
-
(Misurato in Siemens)
- La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Capacità della sorgente di gate
-
(Misurato in Farad)
- La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza del MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate:
56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Valutare ... ...
f
co
= 179.253938762358
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
179.253938762358 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
Frequenza di taglio MESFET
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Frequenza di taglio MESFET
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(COLPO)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici
Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione
Partire
Guadagno di potenza del down converter
=
Frequenza del segnale
/
Frequenza di uscita
*(
Frequenza del segnale
/
Frequenza di uscita
*(
Persona di merito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frequenza del segnale
/
Frequenza di uscita
*(
Persona di merito
)^2)))^2
Ottieni il fattore di degradazione per MESFET
Partire
Guadagno fattore di degradazione
=
Frequenza di uscita
/
Frequenza del segnale
*(
Frequenza del segnale
/
Frequenza di uscita
*(
Persona di merito
)^2)/(1+
sqrt
(1+(
Frequenza del segnale
/
Frequenza di uscita
*(
Persona di merito
)^2)))^2
Fattore di rumore GaAs MESFET
Partire
Fattore di rumore
= 1+2*
Frequenza angolare
*
Capacità della sorgente di gate
/
Transconduttanza del MESFET
*
sqrt
((
Resistenza alla fonte
-
Resistenza al cancello
)/
Resistenza in ingresso
)
Frequenza operativa massima
Partire
Frequenza operativa massima
=
Frequenza di taglio MESFET
/2*
sqrt
(
Resistenza allo scarico
/(
Resistenza alla fonte
+
Resistenza in ingresso
+
Resistenza alla metallizzazione del cancello
))
Potenza massima consentita
Partire
Potenza massima consentita
= 1/(
Reattanza
*
Frequenza limite del tempo di transito
^2)*(
Campo elettrico massimo
*
Massima velocità di deriva della saturazione
/(2*
pi
))^2
Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde
Partire
Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde
= (
Frequenza limite del tempo di transito
/
Frequenza del guadagno di potenza
)^2*
Impedenza di uscita
/
Impedenza di ingresso
Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET
Partire
Transconduttanza del MESFET
=
Conduttanza di uscita
*(1-
sqrt
((
Tensione di ingresso
-
Soglia di voltaggio
)/
Tensione di pinch-off
))
Angolo di transito
Partire
Angolo di transito
=
Frequenza angolare
*
Lunghezza dello spazio di deriva
/
Velocità di deriva del portatore
Frequenza di taglio MESFET
Partire
Frequenza di taglio MESFET
=
Transconduttanza del MESFET
/(2*
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
Frequenza massima di oscillazione
Partire
Frequenza massima di oscillazione
=
Velocità di saturazione
/(2*
pi
*
Lunghezza del canale
)
Frequenza di taglio MESFET Formula
Frequenza di taglio MESFET
=
Transconduttanza del MESFET
/(2*
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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