Capacità di carico del CMOS dell'inverter in cascata calcolatrice

✖La capacità di drain del gate PMOS è la capacità tra i terminali di gate e drain di un transistor PMOS, che influisce sulla velocità di commutazione e sul consumo energetico nelle applicazioni dei circuiti digitali.ⓘ Capacità di drenaggio del gate PMOS [C_gd,p]			+10% -10%
✖La capacità di drain del gate NMOS è la capacità tra i terminali di gate e drain di un transistor NMOS, che ne influenza la velocità di commutazione e il consumo energetico nelle applicazioni di circuiti digitali.ⓘ Capacità di drain del gate NMOS [C_gd,n]			+10% -10%
✖La capacità bulk di drain PMOS si riferisce alla capacità tra il terminale di drain e il substrato di un transistor PMOS, influenzandone il comportamento in varie applicazioni circuitali.ⓘ Capacità di massa di drenaggio PMOS [C_db,p]			+10% -10%
✖La capacità di bulk di drain NMOS si riferisce alla capacità tra il terminale di drain e il bulk (substrato) di un transistor NMOS, influenzandone le caratteristiche di commutazione e le prestazioni complessive.ⓘ Capacità di massa di drain NMOS [C_db,n]			+10% -10%
✖La capacità interna CMOS dell'inverter si riferisce alle capacità parassite all'interno di un inverter CMOS, comprese le capacità di giunzione e sovrapposizione, che ne influenzano la velocità di commutazione e il consumo energetico.ⓘ Capacità interna CMOS dell'inverter [C_in]			+10% -10%
✖La capacità di gate CMOS dell'inverter è la capacità totale al terminale di gate di un inverter CMOS, che influisce sulla velocità di commutazione e sul consumo energetico, costituito da gate-source.ⓘ Capacità del gate CMOS dell'inverter [C_g]			+10% -10%

✖La capacità di carico dell'inverter CMOS è la capacità guidata dall'uscita di un inverter CMOS, inclusi il cablaggio, le capacità di ingresso dei gate collegati e le capacità parassite.ⓘ Capacità di carico del CMOS dell'inverter in cascata [C_load]

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Capacità di carico del CMOS dell'inverter in cascata Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di carico CMOS dell'inverter = Capacità di drenaggio del gate PMOS+Capacità di drain del gate NMOS+Capacità di massa di drenaggio PMOS+Capacità di massa di drain NMOS+Capacità interna CMOS dell'inverter+Capacità del gate CMOS dell'inverter
C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g
Questa formula utilizza 7 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di carico CMOS dell'inverter - (Misurato in Farad) - La capacità di carico dell'inverter CMOS è la capacità guidata dall'uscita di un inverter CMOS, inclusi il cablaggio, le capacità di ingresso dei gate collegati e le capacità parassite.
Capacità di drenaggio del gate PMOS - (Misurato in Farad) - La capacità di drain del gate PMOS è la capacità tra i terminali di gate e drain di un transistor PMOS, che influisce sulla velocità di commutazione e sul consumo energetico nelle applicazioni dei circuiti digitali.
Capacità di drain del gate NMOS - (Misurato in Farad) - La capacità di drain del gate NMOS è la capacità tra i terminali di gate e drain di un transistor NMOS, che ne influenza la velocità di commutazione e il consumo energetico nelle applicazioni di circuiti digitali.
Capacità di massa di drenaggio PMOS - (Misurato in Farad) - La capacità bulk di drain PMOS si riferisce alla capacità tra il terminale di drain e il substrato di un transistor PMOS, influenzandone il comportamento in varie applicazioni circuitali.
Capacità di massa di drain NMOS - (Misurato in Farad) - La capacità di bulk di drain NMOS si riferisce alla capacità tra il terminale di drain e il bulk (substrato) di un transistor NMOS, influenzandone le caratteristiche di commutazione e le prestazioni complessive.
Capacità interna CMOS dell'inverter - (Misurato in Farad) - La capacità interna CMOS dell'inverter si riferisce alle capacità parassite all'interno di un inverter CMOS, comprese le capacità di giunzione e sovrapposizione, che ne influenzano la velocità di commutazione e il consumo energetico.
Capacità del gate CMOS dell'inverter - (Misurato in Farad) - La capacità di gate CMOS dell'inverter è la capacità totale al terminale di gate di un inverter CMOS, che influisce sulla velocità di commutazione e sul consumo energetico, costituito da gate-source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di drenaggio del gate PMOS: 0.15 Femtofarad --> 1.5E-16 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di drain del gate NMOS: 0.1 Femtofarad --> 1E-16 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di massa di drenaggio PMOS: 0.25 Femtofarad --> 2.5E-16 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di massa di drain NMOS: 0.2 Femtofarad --> 2E-16 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità interna CMOS dell'inverter: 0.05 Femtofarad --> 5E-17 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità del gate CMOS dell'inverter: 0.18 Femtofarad --> 1.8E-16 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16

Valutare ... ...

C_load = 9.3E-16

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

9.3E-16 Farad -->0.93 Femtofarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.93 Femtofarad <-- Capacità di carico CMOS dell'inverter

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< Invertitori CMOS Calcolatrici

Massima tensione di ingresso CMOS

LaTeX Partire Massima tensione di ingresso CMOS = (2*Tensione di uscita per ingresso massimo+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)-Tensione di alimentazione+Rapporto di transconduttanza*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/(1+Rapporto di transconduttanza)

CMOS di tensione di soglia

LaTeX Partire Soglia di voltaggio = (Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza)*(Tensione di alimentazione+(Tensione di soglia del PMOS senza polarizzazione del corpo)))/(1+sqrt(1/Rapporto di transconduttanza))

Tensione di ingresso massima per CMOS simmetrico

LaTeX Partire CMOS simmetrico con tensione di ingresso massima = (3*Tensione di alimentazione+2*Tensione di soglia di NMOS senza polarizzazione del corpo)/8

Margine di rumore per CMOS a segnale elevato

LaTeX Partire Margine di rumore per segnale alto = Tensione di uscita massima-Tensione di ingresso minima

Vedi altro >>