✖La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.ⓘ Mobilità nei MOSFET [μeff] | | | +10% -10% |
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [Cox] | | | +10% -10% |