✖La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.ⓘ Penetrazione di carica di tipo N [xno] | | | +10% -10% |
✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.ⓘ Concentrazione dell'accettore [Na] | | | +10% -10% |