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Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La profondità di giunzione è definita come la distanza dalla superficie di un materiale semiconduttore al punto in cui si verifica un cambiamento significativo nella concentrazione degli atomi droganti.ⓘ Profondità di giunzione [x_j]			+10% -10%
✖Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.ⓘ Fattore di scala [Sf]			+10% -10%

✖La profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo è definita come la distanza dalla superficie al punto in cui si verifica un cambiamento nella concentrazione degli atomi droganti dopo il ridimensionamento completo.ⓘ Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI [x_j']

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Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala
x_j' = x_j/Sf
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo - (Misurato in Metro) - La profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo è definita come la distanza dalla superficie al punto in cui si verifica un cambiamento nella concentrazione degli atomi droganti dopo il ridimensionamento completo.
Profondità di giunzione - (Misurato in Metro) - La profondità di giunzione è definita come la distanza dalla superficie di un materiale semiconduttore al punto in cui si verifica un cambiamento significativo nella concentrazione degli atomi droganti.
Fattore di scala - Il fattore di scala è definito come il rapporto con il quale le dimensioni del transistor vengono modificate durante il processo di progettazione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Profondità di giunzione: 2 Micrometro --> 2E-06 Metro (Controlla la conversione qui)
Fattore di scala: 1.5 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

x_j' = x_j/Sf --> 2E-06/1.5

Valutare ... ...

x_j' = 1.33333333333333E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.33333333333333E-06 Metro -->1.33333333333333 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.33333333333333 ≈ 1.333333 Micrometro <-- Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka Patel

Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI Formula

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Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala
x_j' = x_j/Sf

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