MCM di due numeri

Profondità di messa a fuoco calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Trigger di Schmitt

✖Il fattore di proporzionalità è una costante che mette in relazione due parametri chiave: la dimensione critica (CD) e la dose di esposizione.ⓘ Fattore di proporzionalità [k₂]			+10% -10%
✖La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.ⓘ Lunghezza d'onda nella fotolitografia [λ_l]			+10% -10%
✖L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.ⓘ Apertura numerica [NA]			+10% -10%

✖La profondità di fuoco è un parametro critico che influenza la tolleranza alle variazioni di altezza del wafer semiconduttore.ⓘ Profondità di messa a fuoco [DOF]

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Profondità di messa a fuoco Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Profondità di messa a fuoco - (Misurato in metro) - La profondità di fuoco è un parametro critico che influenza la tolleranza alle variazioni di altezza del wafer semiconduttore.
Fattore di proporzionalità - Il fattore di proporzionalità è una costante che mette in relazione due parametri chiave: la dimensione critica (CD) e la dose di esposizione.
Lunghezza d'onda nella fotolitografia - (Misurato in metro) - La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.
Apertura numerica - L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Fattore di proporzionalità: 3 --> Nessuna conversione richiesta
Lunghezza d'onda nella fotolitografia: 223 Nanometro --> 2.23E-07 metro (Controlla la conversione qui)
Apertura numerica: 0.717 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Valutare ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.30133109247621E-06 metro -->1.30133109247621 Micrometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micrometro <-- Profondità di messa a fuoco

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Effetto corpo nel MOSFET

LaTeX Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Resistenza del canale

LaTeX Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

LaTeX Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Vedi altro >>

Profondità di messa a fuoco Formula

LaTeX Partire

Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

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