Carica dello strato di inversione in PMOS calcolatrice

✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità di ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%

✖La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.ⓘ Carica dello strato di inversione in PMOS [Q_p]

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Carica dello strato di inversione in PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Carica dello strato di inversione - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di ossido: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Valutare ... ...

Q_p = -0.001728

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

-0.001728 Coulomb per metro quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

-0.001728 Coulomb per metro quadrato <-- Carica dello strato di inversione

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Aman Dhussawat

GURU TEGH BAHADUR ISTITUTO DI TECNOLOGIA (GTBIT), NUOVA DELHI

Aman Dhussawat ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< Miglioramento del canale P Calcolatrici

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

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