Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS calcolatrice

Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Carica dello strato di inversione - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.
Capacità di ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Tensione tra Drain e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra drain e source è un parametro chiave nel funzionamento di un transistor ad effetto di campo (FET) ed è spesso indicata come "tensione drain-source" o VDS.

(Calcolo completato in 00.004 secondi)