Capacità intrinseca di gate Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione
Cmos = Cgcs*W
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Capacità di sovrapposizione del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne.
Capacità del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di gate MOS è un fattore importante nel calcolo della capacità di sovrapposizione del gate.
Larghezza di transizione - (Misurato in Metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità del gate MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza di transizione: 89.82 Millimetro --> 0.08982 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Cmos = Cgcs*W --> 2.004E-05*0.08982
Valutare ... ...
Cmos = 1.7999928E-06
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.7999928E-06 Farad -->1.7999928 Microfarad (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
1.7999928 1.799993 Microfarad <-- Capacità di sovrapposizione del gate MOS
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Coefficiente DIBL
​ LaTeX ​ Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Channel Charge
​ LaTeX ​ Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Tensione critica
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Capacità intrinseca di gate Formula

​LaTeX ​Partire
Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione
Cmos = Cgcs*W

Qual è la necessità del doping nel CMOS?

Il drogaggio nella tecnologia CMOS viene utilizzato per introdurre impurità nel materiale semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Aggiungendo droganti è possibile aumentare il numero di portatori di carica liberi (elettroni o lacune), consentendo un maggiore controllo sul comportamento elettrico del dispositivo. Ciò è essenziale per creare circuiti CMOS ad alte prestazioni che utilizzano transistor sia di tipo n che di tipo p.

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