Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio calcolatrice

✖La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori maggioritari [n₀]			+10% -10%
✖La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.ⓘ Concentrazione di portatori di minoranza [p₀]			+10% -10%

✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio [n_i]

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Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione di portatori maggioritari - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante maggioritaria è il numero di portanti nella banda di conduzione senza distorsioni applicate esternamente.
Concentrazione di portatori di minoranza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di portatori di minoranza è il numero di portatori nella banda di valenza senza distorsioni applicate esternamente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione di portatori maggioritari: 110000000 1 per metro cubo --> 110000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione di portatori di minoranza: 91000000 1 per metro cubo --> 91000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Valutare ... ...

n_i = 100049987.506246

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

100049987.506246 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 per metro cubo <-- Concentrazione portante intrinseca

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del portatore di carica Calcolatrici

Densità di corrente dovuta agli elettroni

LaTeX Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

LaTeX Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

LaTeX Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Lunghezza di diffusione del foro

LaTeX Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Vedi altro >>

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio Formula

LaTeX Partire

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Definire la concentrazione del portatore di equilibrio?

Il numero di portatori nella banda di conduzione e di valenza senza bias applicato esternamente è chiamato concentrazione del portatore di equilibrio. Per i portatori maggioritari, la concentrazione del portatore di equilibrio è uguale alla concentrazione del portatore intrinseco più il numero di portatori liberi aggiunti drogando il semiconduttore. Nella maggior parte delle condizioni, il drogaggio del semiconduttore è di diversi ordini di grandezza maggiore della concentrazione intrinseca del portatore, in modo tale che il numero di portatori maggioritari è approssimativamente uguale al drogaggio. All'equilibrio, il prodotto della concentrazione di portatori maggioritari e minoritari è una costante.

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