Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza Kn è una misura della variazione della corrente che scorre attraverso un transistor in risposta a una piccola variazione di tensione.ⓘ Parametro di transconduttanza [K_n]			+10% -10%
✖La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.ⓘ Tensione critica [V_c]			+10% -10%
✖La tensione totale in un circuito in serie è uguale alla somma di tutte le singole cadute di tensione nel circuito.ⓘ Tensione totale [V_t]			+10% -10%

✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs [i_d]

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Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2)
i_d = K_n*((V_c-V_t)^2)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza Kn è una misura della variazione della corrente che scorre attraverso un transistor in risposta a una piccola variazione di tensione.
Tensione critica - (Misurato in Volt) - La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
Tensione totale - (Misurato in Volt) - La tensione totale in un circuito in serie è uguale alla somma di tutte le singole cadute di tensione nel circuito.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza: 0.07 Ampere per Volt Quadrato --> 0.07 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Tensione critica: 0.284 Volt --> 0.284 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione totale: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

i_d = K_n*((V_c-V_t)^2) --> 0.07*((0.284-2)^2)

Valutare ... ...

i_d = 0.20612592

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.20612592 Ampere -->206.12592 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

206.12592 ≈ 206.1259 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Verificato da Yakshita M

Università di Dayanandasagar (DSU), Bangalore

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Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

LaTeX Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

LaTeX Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

LaTeX Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)

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